삼성전자가 세계 최초로 3세대 10나노급 D램 개발에 성공했다.

2017년 11월 2세대 10나노급(1y) D램 양산에 돌입한 지 16개월 만이다. 메모리 반도체 글로벌 1위인 삼성전자가 그만큼 기술 개발에서 선도적 지위를 공고히 하면서 후발 주자들과 1년이상의 격차를 벌인 것으로 업계는 분석하고 있다. 

삼성전자는 21일 "3세대 10나노급 8Gb DDR4 D램을 개발했다"면서 "올해 하반기에 제품 양산에 돌입하겠다"고 밝혔다. D램은 회로의 선폭이 가늘수록 더 작으면서도 집적도가 높아진다. 10나노는 10억분의 1m를 뜻하며, 반도체 업계에서는 반도체 집적도가 10나노대에 진입하면서 기술 개발 한계에 부딪혔다는 평가가 나온 바 있다. 하지만 이번 제품은 10나노대 중반급인 것으로 알려졌다. 종전 10나노급 엑스(x)·와이(y) 제품이 후반대였다면, 이번 제품은 10나노급 중반인 제트(z)까지 낮춰 집적도를 업계 최대 수준으로 끌어올린 셈이다. 
특히 이번 D램은 초고가인 극자외선(EUV) 노광 장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급 D램보다 웨이퍼당 칩 생산성을 20% 높였다. 또 처리 속도를 높여 전력 효율도 개선됐다는 것이 삼성전자 측 설명이다. 
이와 동시에 삼성전자는 3세대 10나노급 D램 기반의 PC용 DDR4 모듈로 글로벌 CPU 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 완료했다. 본격적으로 글로벌 정보기술(IT) 고객의 수요를 확대해 나갈 수 있는 발판을 함께 마련한 것이다. 
삼성전자는 올 하반기에 이 제품을 양산하고, 내년에는 성능과 용량을 동시에 높인 DDR5, LPDDR5 등 차세대 D램을 본격 공급한다는 계획이다. 
이정배 삼성전자 메모리사업부 부사장은 "미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속·초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 됐다"면서 "앞으로 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 프리미엄 메모리 시장을 성장시키는 데도 기여해 나가겠다"고 설명했다. 
삼성전자는 고객사들의 요구를 반영해 경기도 평택에 있는 최신 D램 생산라인에서 주력 제품의 생산 비중을 확대하고 있다고 설명했다. 특히 내년에는 차세대 프리미엄 D램의 수요 확대를 반영해 평택 생산라인에 안정적인 양산 체제를 구축하기로 했다. 

이정배 삼성전자 메모리사업부 D램개발실 부사장은 “혁신적인 D램 기술 개발로 초고속·초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 됐다”며 “향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 이바지할 것”이라고 말했다.
삼성전자는 3세대 10나노급 D램과 함께 혁신적 V낸드 개발로 격차를 확대하는 한편, 높은 데이터 속도를 보여주는 고대역폭메모리(HBM) 등으로 차별화된 제품을 개발한다는 방침이다. 

또 삼성전자는 파운드리(위탁생산)의 경우 7나노 EUV 적용 제품 양산 등을 통해 고객을 다변화할 예정이다. 시스템LSI는 5G 모뎀 상용화에 맞춰 시스템온칩(SoC) 경쟁력을 높일 계획이다. 최원영 기자